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FDS2170N3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 3A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 3W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1292pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SOIC
Rds On (Max) @ Id, Vgs 128 mOhm @ 3A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDS2170N3_NL FDS2170N3_NLTR FDS2170N3_NLTR-ND FDS2170N3TR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 36nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Ta)
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FDS2170N3 Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FDS2170N3 Referenzpreis. FDS2170N3 Parameter, FDS2170N3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FDS2170N3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FDS2170N3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FDS2170N3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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