FDS3512 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 80V 4A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Original-Reel®
Other Names FDS3512DKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 26 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 634pF @ 40V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Detailed Description N-Channel 80V 4A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FDS3512 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 84025
FDS3512 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FDS3512 IC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 531
FDS3512 MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 80378
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FDS3512_NL FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 440
FDS3570 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2359
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