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FDS4435BZ Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 30V 8.8A 8-SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series PowerTrench®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8.8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 8.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FDS4435BZTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 26 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1845pF @ 15V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description P-Channel 30V 8.8A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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FDS4435BZ Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FDS4435BZ Referenzpreis. FDS4435BZ Parameter, FDS4435BZ Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FDS4435BZ Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FDS4435BZ Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FDS4435BZ Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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