FDS8962C Technische Spezifikationen

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5A 8SOIC

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Series PowerTrench®
Power - Max 900mW
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 575pF @ 15V
FET Type N and P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A, 5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 7A, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FDS8962CCT
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature Logic Level Gate
Detailed Description Mosfet Array N and P-Channel 30V 7A, 5A 900mW Surface Mount 8-SO
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