FGA30N120FTDTU Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 60A 339W TO3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition -
Switching Energy -
Reverse Recovery Time (trr) 730ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Trench Field Stop
Detailed Description IGBT Trench Field Stop 1200V 60A 339W Through Hole TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-3PN
Power - Max 339W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 44 Weeks
Input Type Standard
Gate Charge 208nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 90A
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FGA30N120FTDTU Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FGA30N120FTDTU Referenzpreis. FGA30N120FTDTU Parameter, FGA30N120FTDTU Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FGA30N120FTDTU Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FGA30N120FTDTU Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FGA30N120FTDTU Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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