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FGA50N60LS Technische Spezifikationen

IGBT 600V 100A 240W TO3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 300V, 50A, 5.9 Ohm, 15V
Switching Energy 1.1mJ (on), 3.2mJ (off)
Power - Max 240W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 100A 240W Through Hole TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max) 100A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 50A
Td (on/off) @ 25°C 54ns/146ns
Supplier Device Package TO-3P
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 167nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 150A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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FGA5065ADF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 835
FGA5065ADF ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGA50N100BNT FSC Spezialisierte heiße ICs 5716
FGA50N100BNTD FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 5785
FGA50N100BNTD2 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 7842
FGA50N100BNTD2 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 7842
FGA50N100BNTD2 ON Semiconductor Einzelne IGBTs
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