FGA60N60UFDTU Technische Spezifikationen

IGBT 600V 120A 298W TO3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 60A, 5 Ohm, 15V
Switching Energy 1.81mJ (on), 810µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 47ns
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type Field Stop
Detailed Description IGBT Field Stop 600V 120A 298W Through Hole TO-3P
Current - Collector (Ic) (Max) 120A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 60A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/130ns
Supplier Device Package TO-3P
Power - Max 298W
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 44 Weeks
Input Type Standard
Gate Charge 188nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 180A
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FGA60N60UFDTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 38311
FGA60N60UFDTU ON Semiconductor Einzelne IGBTs

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