FGD3N60UNDF Technische Spezifikationen

IGBT 600V 6A 60W DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 400V, 3A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 52µJ (on), 30µJ (off)
Reverse Recovery Time (trr) 21ns
Packaging Original-Reel®
Other Names FGD3N60UNDFDKR
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 600V 6A 60W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.52V @ 15V, 3A
Td (on/off) @ 25°C 5.5ns/22ns
Supplier Device Package TO-252, (D-Pak)
Power - Max 60W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 1.6nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 9A
Base Part Number FGD3N60
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FGD3N60LSD FSC Spezialisierte heiße ICs 5000
FGD3N60LSD MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 5465
FGD3N60LSDTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 13480
FGD3N60LSDTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 98315
FGD3N60LSDTM ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGD3N60LSDTM-T AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 0
FGD3N60LSDTM-T ON Semiconductor Einzelne IGBTs
FGD3N60UNDF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 559
FGD3N60UNDF ON Semiconductor Einzelne IGBTs

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