FJNS4211RTA Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92S

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Base (R1) 22 kOhms
Packaging Tape & Box (TB)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 40V 100mA 200MHz 300mW Through Hole TO-92S
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 1mA, 10mA
Supplier Device Package TO-92S
Power - Max 300mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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FJNS4201RBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 2743
FJNS4201RBU ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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FJNS4201RTA ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
FJNS4202R FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2587
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