FJP2145TU Technische Spezifikationen

TRANS NPN 800V 5A TO-220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 800V
Transistor Type NPN
Series ESBC™
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 125°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 5A 15MHz 120W Through Hole TO-220-3
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2V @ 300mA, 1.5A
Supplier Device Package TO-220-3
Power - Max 120W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 8 Weeks
Frequency - Transition 15MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 200mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FJP2145TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2626
FJP2145TU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
FJP2160DTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2652
FJP2160DTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2769
FJP2160DTU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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