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FJV3105RMTF Technische Spezifikationen

TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
Power - Max 200mW
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 13 Weeks
Frequency - Transition 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Resistor - Base (R1) 4.7 kOhms
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FJV3105RMTFCT
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number FJV3105
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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FJV3102RMTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 42941
FJV3102RMTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel, Vorbelastet 42941
FJV3102RMTF ON Semiconductor Vorbelastete BJT-Transistoren
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FJV3105RMTF Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FJV3105RMTF Referenzpreis. FJV3105RMTF Parameter, FJV3105RMTF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FJV3105RMTF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FJV3105RMTF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FJV3105RMTF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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