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FQA7N90M Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 900V 7A TO-3P

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 210W (Tc)
Package / Case TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 52nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.8 Ohm @ 3.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1880pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 900V 7A (Tc) 210W (Tc) Through Hole TO-3P
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FQA7N90M Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQA7N90M Referenzpreis. FQA7N90M Parameter, FQA7N90M Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQA7N90M Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQA7N90M Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQA7N90M Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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