FQB11P06TM Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 60V 11.4A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 53W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 11.4A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 175 mOhm @ 5.7A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FQB11P06TM-ND FQB11P06TMTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 60V 11.4A (Tc) 3.13W (Ta), 53W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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FQB11N40 FSC Spezialisierte heiße ICs 787
FQB11N40C FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 18921
FQB11N40CTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 15077
FQB11N40CTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 15077
FQB11N40CTM MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 3243
FQB11N40TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2531
FQB11N40TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2742
FQB11N60FTM FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 3626
FQB11N60TM FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 3600
FQB11P06 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 7878

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