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FQB12N50TM_AM002 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 12.1A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 179W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 51nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12.1A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 490 mOhm @ 6.05A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2020pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 12.1A (Tc) 3.13W (Ta), 179W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQB12N20L Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 480
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FQB12N50TM Original Spezialisierte heiße ICs 5180
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FQB12N60C Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 44601
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FQB12N60CTM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 37363

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FQB12N50TM_AM002 Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQB12N50TM_AM002 Referenzpreis. FQB12N50TM_AM002 Parameter, FQB12N50TM_AM002 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQB12N50TM_AM002 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQB12N50TM_AM002 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQB12N50TM_AM002 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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