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FQB2N80TM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 2.4A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 85W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.4A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 2.4A (Tc) 3.13W (Ta), 85W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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FQB2N80TM Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQB2N80TM Referenzpreis. FQB2N80TM Parameter, FQB2N80TM Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQB2N80TM Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQB2N80TM Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQB2N80TM Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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