FQB6N80TM Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 5.8A D2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 158W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 31nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.8A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D²PAK (TO-263AB)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.95 Ohm @ 2.9A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FQB6N80TM-ND FQB6N80TMTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 19 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 5.8A (Tc) 3.13W (Ta), 158W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
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FQB6N15 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 10332
FQB6N15TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2669
FQB6N15TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2721
FQB6N25 FSC Spezialisierte heiße ICs 2642
FQB6N25TM AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2517
FQB6N25TM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2706
FQB6N40 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 500
FQB6N40C FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 67425
FQB6N40CF VB Spezialisierte heiße ICs 5000
FQB6N40CTM Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1218

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