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FQD12N20TF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 9A DPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 23nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package D-Pak
Rds On (Max) @ Id, Vgs 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 55W (Tc) Surface Mount D-Pak
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQD1216ME/I H-5 NXP Spezialisierte heiße ICs 2603
FQD12N10 F Spezialisierte heiße ICs 10490
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FQD12N10L Spezialisierte heiße ICs 999432
FQD12N20 F Spezialisierte heiße ICs 26045
FQD12N20L Fairchi Spezialisierte heiße ICs 10419
FQD12N20LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 416
FQD12N20LTF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5416
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FQD12N20TF Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQD12N20TF Referenzpreis. FQD12N20TF Parameter, FQD12N20TF Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQD12N20TF Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQD12N20TF Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQD12N20TF Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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