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FQI10N20CTU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 9.5A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 72W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 360 mOhm @ 4.75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 9.5A (Tc) 72W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
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FQI10N20CTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 349
FQI10N20CTU MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 571
FQI10N20L FSC Spezialisierte heiße ICs 2557
FQI10N20LTU FSC Spezialisierte heiße ICs 2571
FQI10N20LTU MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 1186
FQI10N60 FSC Spezialisierte heiße ICs 2505
FQI10N60CTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2712
FQI10N60CTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2757

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