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FQI1P50TU Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 500V 1.5A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.13W (Ta), 63W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 Ohm @ 750mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 500V 1.5A (Tc) 3.13W (Ta), 63W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
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FQI1P50TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2769

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