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FQI34P10TU Technische Spezifikationen

MOSFET P-CH 100V 33.5A I2PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 3.75W (Ta), 155W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 33.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60 mOhm @ 16.75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2910pF @ 25V
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description P-Channel 100V 33.5A (Tc) 3.75W (Ta), 155W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
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FQI34N20 FSC Spezialisierte heiße ICs 2523
FQI34N20TU FSC Spezialisierte heiße ICs 2594
FQI34N20TU MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 642
FQI34P10 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 527
FQI34P10TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2526

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FQI34P10TU Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQI34P10TU Referenzpreis. FQI34P10TU Parameter, FQI34P10TU Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQI34P10TU Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQI34P10TU Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQI34P10TU Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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