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FQNL1N50BBU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 500V 0.27A TO-92L

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Tc)
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 270mA (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-92L
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9 Ohm @ 135mA, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 500V 270mA (Tc) 1.5W (Tc) Through Hole TO-92L
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQNL1N50BBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2504
FQNL1N50BTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2519
FQNL1N50BTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2560
FQNL1N50BTA Rochester Electronics, LLC Einzelne MOSFET-Transistoren

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FQNL1N50BBU Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQNL1N50BBU Referenzpreis. FQNL1N50BBU Parameter, FQNL1N50BBU Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQNL1N50BBU Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQNL1N50BBU Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQNL1N50BBU Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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