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FQP3N90 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 900V 3.6A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 130W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 26nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.6A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.25 Ohm @ 1.8A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 910pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 900V 3.6A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220-3
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
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FQP3N30 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 11742
FQP3N30 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4909
FQP3N30 ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQP3N40 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 37365
FQP3N40 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 37365
FQP3N50C FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 483
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FQP3N90 Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQP3N90 Referenzpreis. FQP3N90 Parameter, FQP3N90 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQP3N90 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQP3N90 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQP3N90 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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