FQPF10N60CYDTU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO-220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 50W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 57nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220F-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 730 mOhm @ 4.75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2040pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 9.5A (Tc) 50W (Tc) Through Hole TO-220F-3
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQPF1060C FSC Spezialisierte heiße ICs 368
FQPF10N20 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 3457
FQPF10N20 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 4816
FQPF10N20C Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50350
FQPF10N20C AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 25233
FQPF10N20C ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQPF10N20C MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 504
FQPF10N50CF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 41680
FQPF10N50CF AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 41680
FQPF10N50CF ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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