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FQPF3N80C Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 3A TO-220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 39W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 28 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 705pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220F
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.8 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 16.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
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FQPF3N80C Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQPF3N80C Referenzpreis. FQPF3N80C Parameter, FQPF3N80C Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQPF3N80C Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQPF3N80C Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQPF3N80C Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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