FQPF5N60CYDTU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 33W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220F-3 (Y-Forming)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 600V 4.5A (Tc) 33W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)
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FQPF50N06 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 45318
FQPF50N06 MOSFETIGBTIC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 314
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FQPF50N06L Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 32629
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