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FQT1N80TF-WS Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.1W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 7.2nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 200mA (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package SOT-223-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 Ohm @ 100mA, 10V
Packaging Cut Tape (CT)
Other Names FQT1N80TF-WSCT FQT1N80TF_WSCT FQT1N80TF_WSCT-ND
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 195pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 200mA (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-223-3
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FQT1N60CTF-NL FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2742
FQT1N60CTF-WS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9492
FQT1N60CTF-WS ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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FQT1N80TF-WS Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, FQT1N80TF-WS Referenzpreis. FQT1N80TF-WS Parameter, FQT1N80TF-WS Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden FQT1N80TF-WS Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden FQT1N80TF-WS Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, FQT1N80TF-WS Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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