FQT4N20LTF Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 0.85A SOT-223

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.2W (Tc)
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.2nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 850mA (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package SOT-223-4
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35 Ohm @ 425mA, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names FQT4N20LTF-ND FQT4N20LTFTR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 21 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 310pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Detailed Description N-Channel 200V 850mA (Tc) 2.2W (Tc) Surface Mount SOT-223-4
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQT4N20 FSC Spezialisierte heiße ICs 4243
FQT4N20L FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 14058
FQT4N20LTF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2260
FQT4N20LTF ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
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FQT4N20LTF MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 712
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FQT4N20TF Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 16450
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