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FQU2N80TU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 800V 1.8A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.8A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.3 Ohm @ 900mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 550pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 800V 1.8A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Through Hole I-PAK
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQU2N100 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 1720
FQU2N100TU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 50
FQU2N100TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2541
FQU2N100TU ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
FQU2N100TU IC Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 10421
FQU2N50B FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 5030
FQU2N50BTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 9707
FQU2N50BTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 5337
FQU2N50BTU-WS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2606
FQU2N50BTU-WS ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren

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