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FQU6N25TU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 250V 4.4A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.5nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.4A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 2.2A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 250V 4.4A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQU6N25 Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 502
FQU6N25TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2796
FQU6N40C VB Spezialisierte heiße ICs 1012
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