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FQU7N20TU Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 5.3A IPAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series QFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package I-PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 690 mOhm @ 2.65A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 200V 5.3A (Tc) 2.5W (Ta), 45W (Tc) Through Hole I-PAK
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
FQU7N10L FSC Spezialisierte heiße ICs 1823
FQU7N10LTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2743
FQU7N10LTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2685
FQU7N10TU FAI Spezialisierte heiße ICs 2697
FQU7N20 VB Spezialisierte heiße ICs 401
FQU7N20TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 1270
FQU7N60 FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 1248
FQU7N60C Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 58693
FQU7N60NZ FSC Spezialisierte heiße ICs 2765
FQU7N65C VB Spezialisierte heiße ICs 1000

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