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HGTD1N120BNS9A Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 1A, 82 Ohm, 15V
Switching Energy 70µJ (on), 90µJ (off)
Power - Max 60W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 5.3A 60W Surface Mount TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max) 5.3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.9V @ 15V, 1A
Td (on/off) @ 25°C 15ns/67ns
Supplier Device Package TO-252AA
Packaging Original-Reel®
Other Names HGTD1N120BNS9ADKR
Mounting Type Surface Mount
Manufacturer Standard Lead Time 44 Weeks
Input Type Standard
Gate Charge 14nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 6A
Base Part Number HGTD1N120
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
HGTD1N120B FAIRCHLD Spezialisierte heiße ICs 2588
HGTD1N120BNS FAIRCHI Spezialisierte heiße ICs 2651
HGTD1N120BNS9A Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 1486
HGTD1N120BNS9A ON Semiconductor Einzelne IGBTs

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HGTD1N120BNS9A Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, HGTD1N120BNS9A Referenzpreis. HGTD1N120BNS9A Parameter, HGTD1N120BNS9A Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden HGTD1N120BNS9A Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden HGTD1N120BNS9A Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, HGTD1N120BNS9A Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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