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HGTD3N60C3S9A Technische Spezifikationen
IGBT 600V 6A 33W TO252AA
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Category | Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel |
Manufacturer | AMI Semiconductor / ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Test Condition | 480V, 3A, 82 Ohm, 15V |
Switching Energy | 85µJ (on), 245µJ (off) |
Power - Max | 33W |
Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Mounting Type | Surface Mount |
Lead Free Status / RoHS Status | Lead free / RoHS Compliant |
IGBT Type | - |
Detailed Description | IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 6A |
Produkteigenschaft | Attributwert |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2V @ 15V, 3A |
Td (on/off) @ 25°C | - |
Supplier Device Package | TO-252AA |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Input Type | Standard |
Gate Charge | 10.8nC |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 24A |
HGTD3N60C3S9A Unterlagen
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-
Datenblätter
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Teil # | Hersteller | Kategorie | Verfügbarkeit |
---|---|---|---|
HGTD3N60C3S | INTERSIL | Spezialisierte heiße ICs | 848 |
HGTD3N60C3S9A | Fairchild/ON Semiconductor | Transistoren - IGBTs - Einzel | 2694 |
HGTD3N60C3S9A | Rochester Electronics, LLC | Einzelne IGBTs | |
HGTD3N60C3S9A | ON Semiconductor | Einzelne IGBTs |
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HGTD3N60C3S9A Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, HGTD3N60C3S9A Referenzpreis. HGTD3N60C3S9A Parameter, HGTD3N60C3S9A Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden HGTD3N60C3S9A Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden HGTD3N60C3S9A Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, HGTD3N60C3S9A Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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