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HGTG11N120CN Technische Spezifikationen

IGBT 1200V 43A 298W TO247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 11A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 400µJ (on), 1.3mJ (off)
Power - Max 298W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 43A 298W Through Hole TO-247
Current - Collector (Ic) (Max) 43A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 11A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/180ns
Supplier Device Package TO-247
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 100nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
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HGTG11N120CN Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, HGTG11N120CN Referenzpreis. HGTG11N120CN Parameter, HGTG11N120CN Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden HGTG11N120CN Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden HGTG11N120CN Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, HGTG11N120CN Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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