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HGTP7N60A4 Technische Spezifikationen

IGBT 600V 34A 125W TO220AB

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - IGBTs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Switching Energy 55µJ (on), 60µJ (off)
Power - Max 125W
Package / Case TO-220-3
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 37nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 56A
Base Part Number HGTP7N60
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Td (on/off) @ 25°C 11ns/100ns
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Other Names HGTP7N60A4_NL HGTP7N60A4_NL-ND
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 34A 125W Through Hole TO-220AB
Current - Collector (Ic) (Max) 34A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
HGTP7N60A4 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - IGBTs - Einzel 34464
HGTP7N60A4 ON Semiconductor Einzelne IGBTs
HGTP7N60A4 7N60A4 FSC Spezialisierte heiße ICs 378
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HGTP7N60A4-F102 ON Semiconductor Einzelne IGBTs
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