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HUFA75652G3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 100V 75A TO-247

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UltraFET™
Power Dissipation (Max) 515W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 475nC @ 20V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-247
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7585pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 100V 75A (Tc) 515W (Tc) Through Hole TO-247
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HUFA75652G3 Markenhersteller: AMI Semiconductor / ON Semiconductor, Bonchip Aktie, HUFA75652G3 Referenzpreis. HUFA75652G3 Parameter, HUFA75652G3 Datenblatt im PDF-Format und Beschreibung des Pin-Diagramms herunterladen. Sie können das verwenden HUFA75652G3 Steckbare Steckverbinder, DSP-Datenblatt PDF, finden HUFA75652G3 Pin- und Schaltplan sowie Verwendungsweise der Funktion, HUFA75652G3 Elektronik-Tutorials. Sie können sie von der herunterladen Bonchip.
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