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IRLS640A Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 200V 9.8A TO-220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 4.9A, 5V
Packaging Tube
Other Names IRLS640A-ND IRLS640AFS
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1705pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V
Detailed Description N-Channel 200V 9.8A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220F
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package TO-220F
Power Dissipation (Max) 40W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.8A (Tc)
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