ISL9N302AS3 Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series UltraFET™
Power Dissipation (Max) 345W (Tc)
Package / Case TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 300nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 75A (Tc)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package I2PAK (TO-262)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 75A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 11000pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Detailed Description N-Channel 30V 75A (Tc) 345W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
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ISL9N038AD3ST FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 317
ISL9N2357D Intersil Spezialisierte heiße ICs 93
ISL9N2357D3S FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 12500
ISL9N2357D3ST FAI Spezialisierte heiße ICs 31091
ISL9N2357D3ST MOS Fairchild/ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 2975
ISL9N302AP3 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2711
ISL9N302AP3 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2794
ISL9N302AS3 Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2522
ISL9N302AS3ST Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel 2396
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