KSB1017YTU Technische Spezifikationen

TRANS PNP 80V 4A TO-220F

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Transistor Type PNP
Power - Max 25W
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Frequency - Transition 9MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 500mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 4A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.7V @ 300mA, 3A
Supplier Device Package TO-220F
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 4A 9MHz 25W Through Hole TO-220F
Current - Collector Cutoff (Max) 30µA (ICBO)
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KSB1015 FSC Spezialisierte heiße ICs 80660
KSB1015-YTU FSC Spezialisierte heiße ICs 2523
KSB1015. FSC Spezialisierte heiße ICs 58660
KSB1015O AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
KSB1015O Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2540
KSB1015OTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2645
KSB1015OTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 0
KSB1015Y Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2680
KSB1015Y AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2726
KSB1015YTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2627

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