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KSB1149YSTU Technische Spezifikationen

TRANS PNP DARL 100V 3A TO-126

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 100V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 1.3W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100V 3A 1.3W Through Hole TO-126-3
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Base Part Number KSB1149
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.2V @ 1.5mA, 1.5A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 4000 @ 1.5A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSB1116 FSC Spezialisierte heiße ICs 5363
KSB1116A-Y FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 4500
KSB1116AGBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2623
KSB1116AGBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2550
KSB1116AGBU Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
KSB1116AGBU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSB1116AGTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2414
KSB1116AGTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3048
KSB1116AGTA Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
KSB1116AGTA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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