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KSB1151YSTU Technische Spezifikationen

TRANS PNP 60V 5A TO-126

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type PNP
Power - Max 1.3W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 18 Weeks
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 160 @ 2A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 60V 5A 1.3W Through Hole TO-126-3
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Base Part Number KSB1151
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSB1116 FSC Spezialisierte heiße ICs 5363
KSB1116A-Y FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 4500
KSB1116AGBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2623
KSB1116AGBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2550
KSB1116AGBU Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
KSB1116AGBU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSB1116AGTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2414
KSB1116AGTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3048
KSB1116AGTA Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren
KSB1116AGTA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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