KSB811YTA Technische Spezifikationen

TRANS PNP 25V 1A TO-92S

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type PNP
Power - Max 350mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Short Body
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP 25V 1A 110MHz 350mW Through Hole TO-92S
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number KSB811
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-92S
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 110MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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