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KSB907TU Technische Spezifikationen

TRANS PNP DARL 40V 3A I-PAK

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 40V
Transistor Type PNP - Darlington
Power - Max 15W
Package / Case TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 40V 3A 15W Through Hole I-PAK
Current - Collector Cutoff (Max) 20µA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 4mA, 2A
Supplier Device Package I-PAK
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 3A, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSB906-YTU FSC Spezialisierte heiße ICs 3139
KSB906YTU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2512
KSB906YTU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2669
KSB907TU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2676
KSB907TU Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren

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