KSC5042MSTU Technische Spezifikationen

TRANS NPN 900V 0.1A TO-126

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900V
Transistor Type NPN
Power - Max 6W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 900V 100mA 6W Through Hole TO-126-3
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 5V @ 4mA, 20mA
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Tube
Operating Temperature -
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSC5019 FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 1159
KSC5019-M FAICHILD Spezialisierte heiße ICs 2556
KSC5019MBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2658
KSC5019MBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2791
KSC5019MBU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSC5019MTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2521
KSC5019MTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2782
KSC5019MTA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSC5019NTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2521
KSC5019NTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2556

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