KSC5603DTU Technische Spezifikationen

TRANS NPN 800V 3A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 800V
Transistor Type NPN
Power - Max 100W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 7 Weeks
Frequency - Transition 5MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 400mA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 3A
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 2.5V @ 200µA, 1A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 3A 5MHz 100W Through Hole TO-220-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100µA
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