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KSC900LBU Technische Spezifikationen

TRANS NPN 25V 0.05A TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 25V
Transistor Type NPN
Power - Max 250mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 50mA 100MHz 250mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 50nA (ICBO)
Base Part Number KSC900
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 200mV @ 2mA, 20mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 350 @ 500µA, 3V
Current - Collector (Ic) (Max) 50mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSC900-LTA FSC Spezialisierte heiße ICs 2500
KSC900CG FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2555
KSC900CGTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2736
KSC900CGTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2596
KSC900CYTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2705
KSC900CYTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2574
KSC900GTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2534
KSC900GTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2597
KSC900GTA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSC900GTA Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren

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