KSD1616LPWD Technische Spezifikationen

TRANS NPN 50V 1A TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type NPN
Power - Max 750mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 1A 160MHz 750mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Base Part Number KSD1616
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 50mA, 1A
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 160MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 300 @ 100mA, 2V
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
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KSD16130S Hamlin / Littelfuse Zeitverzögerungsrelais 2576
KSD16130S Littelfuse Inc. Zeitverzögerungsrelais
KSD1616A FAIRCHILD Spezialisierte heiße ICs 2756
KSD1616A-G lanjian Spezialisierte heiße ICs 3131
KSD1616AGBU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5207
KSD1616AGBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5373
KSD1616AGBU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD1616AGTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 941
KSD1616AGTA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2720
KSD1616AGTA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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