KSD1691OS Technische Spezifikationen

TRANS NPN 60V 5A TO-126

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 60V
Transistor Type NPN
Power - Max 1.3W
Package / Case TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 5A 1.3W Through Hole TO-126-3
Current - Collector Cutoff (Max) 10µA (ICBO)
Base Part Number KSD1691
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 200mA, 2A
Supplier Device Package TO-126-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition -
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 2A, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 5A
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KSD16130S Littelfuse Inc. Zeitverzögerungsrelais
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KSD1616A-G lanjian Spezialisierte heiße ICs 3131
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KSD1616AGBU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 5373
KSD1616AGBU ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren
KSD1616AGTA AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 941
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KSD1616AGTA ON Semiconductor Einzelne BJT-Transistoren

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