KSD363O Technische Spezifikationen

TRANS NPN 120V 6A TO-220

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type NPN
Power - Max 40W
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN 120V 6A 10MHz 40W Through Hole TO-220-3
Current - Collector Cutoff (Max) 1mA (ICBO)
Base Part Number KSD363
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 100mA, 1A
Supplier Device Package TO-220-3
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 1A, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
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