KSP14TA Technische Spezifikationen

TRANS NPN DARL 30V 0.5A TO-92

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN - Darlington
Power - Max 625mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Mounting Type Through Hole
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
Detailed Description Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 500mA 125MHz 625mW Through Hole TO-92-3
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 100µA, 100mA
Supplier Device Package TO-92-3
Packaging Tape & Box (TB)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Frequency - Transition 125MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20000 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
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Teil # Hersteller Kategorie Verfügbarkeit
KSP14 QG Spezialisierte heiße ICs 36921
KSP14BU AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 302
KSP14BU Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 3604
KSP14TA Fairchild/ON Semiconductor Transistoren - Bipolar (BJT) - Einzel 2529
KSP14TA Rochester Electronics, LLC Einzelne BJT-Transistoren

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