MGSF2N02ELT1G Technische Spezifikationen

MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT-23

Produkteigenschaft Attributwert
Category Diskrete Halbleiterprodukte / Transistoren - FETs, MOSFETs - Einzel
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 150pF @ 5V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 2.8A (Ta)
Produkteigenschaft Attributwert
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SOT-23-3 (TO-236)
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta)
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 3.5nC @ 4V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
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MGSF2N02 Original Spezialisierte heiße ICs 3317
MGSF2N02EL AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 38311
MGSF2N02EL1G O Spezialisierte heiße ICs 10000
MGSF2N02ELT1 ON Spezialisierte heiße ICs 87070
MGSF2N02ELT1G ON Semiconductor Einzelne MOSFET-Transistoren
MGSF2N02ELT1G IC MSV Spezialisierte heiße ICs 3406
MGSF2N02ELT1G MOS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Spezialisierte heiße ICs 6985
MGSF2N02LT1G ONSEMI Spezialisierte heiße ICs 25515
MGSF2P02HD ON Spezialisierte heiße ICs 6586
MGSF2P02HDT1 ON Spezialisierte heiße ICs 1927

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